Bezpłatna biblioteka techniczna ENCYKLOPEDIA RADIOELEKTRONIKI I INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ
Półprzewodnikowe przyrządy mocy. Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (IGBT lub IGBT). Encyklopedia elektroniki radiowej i elektrotechniki Encyklopedia radioelektroniki i elektrotechniki / Podręcznik elektryka Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (IGBT) (angielski skrót IGBT - Isolated Gate Bipolar Transistor) to urządzenia półprzewodnikowe, które na wejściu mają tranzystor polowy, a na wyjściu bipolarny. Jedna z tych kombinacji jest pokazana na ryc. 7.4. Urządzenie jest wprowadzane do obwodu mocy przez wyjścia tranzystora bipolarnego E (emiter) i C (kolektor), a do obwodu sterowania przez wyjście G (bramka). Tak więc IGBT ma trzy zewnętrzne zaciski: emiter, kolektor, bramka. Połączenia emitera i drenu (D), podstawy i źródła (S) są wewnętrzne. Połączenie dwóch urządzeń w jednej konstrukcji pozwoliło połączyć zalety tranzystorów polowych i bipolarnych: wysoką rezystancję wejściową przy dużym obciążeniu prądowym oraz niską rezystancję w stanie załączenia.
Struktura IGBT Schematyczny przekrój struktury IGBT pokazano na ryc. 7.5. Tranzystor bipolarny (ryc. 7.5, a) jest utworzony z warstw p + (emiter), n (baza), p (kolektor); pole - warstwy n (źródło), n + (dren) i blacha (bramka). Warstwy p+ i p mają zewnętrzne wyprowadzenia włączone w obwód zasilający. Żaluzja posiada wyjście wchodzące w skład obwodu sterującego. Na ryc. 7.5, b jest pokazany Struktura IGBT czwartej generacji, wykonane w technologii kanałowej „wpuszczanej” (technologia trench-gate), co pozwala na wyeliminowanie rezystancji między p-podstawami i kilkukrotne zmniejszenie gabarytów urządzenia.
Zasada działania i cechy Proces włączenia IGBT można podzielić na dwa etapy:
Tak więc, tranzystor polowy steruje działaniem bipolarnego. Dla tranzystorów IGBT o napięciu znamionowym w zakresie 600-1200 V w stanie pełnego załączenia spadek napięcia przewodzenia, podobnie jak dla tranzystorów bipolarnych, mieści się w przedziale 1,5-3,5 V. Jest to znacznie mniej niż typowy spadek napięcia przewodzących tranzystorów mocy MOSFET o tych samych wartościach znamionowych napięcia. Z drugiej strony tranzystory MOSFET o napięciu znamionowym 200 V i niższym mają niższe napięcie w stanie włączenia niż tranzystory IGBT i pozostają bezkonkurencyjne pod tym względem przy niskich napięciach roboczych i prądach przełączania do 50 A. Pod względem szybkości tranzystory IGBT są gorsze od tranzystorów MOSFET, ale znacznie lepsze od dwubiegunowych. Typowy wartości czasu resorpcji skumulowany ładunek i spadek prądu, gdy IGBT jest wyłączony, mieszczą się odpowiednio w zakresach 0,2-0,4 i 0,2-1,5 µs. Bezpieczny obszar roboczy IGBT może z powodzeniem zapewnić jego niezawodną pracę bez stosowania dodatkowych obwodów tworzących tor przełączania przy częstotliwościach od 10 do 20 kHz dla modułów o prądach znamionowych rzędu kilkuset amperów. Takich właściwości nie posiadają tranzystory bipolarne połączone zgodnie z obwodem Darlingtona. Tak jak dyskretne tranzystory MOSFET wyparły bipolarne tranzystory MOSFET w zasilaczach do 500 V, dyskretne tranzystory IGBT robią to samo w zasilaczach o wyższym napięciu (do 3500 V). Moduły IGBT Moduł IGBT zgodnie ze schematem okablowania wewnętrznego może reprezentować:
We wszystkich przypadkach, z wyjątkiem przerywacza, moduł zawiera wbudowaną diodę typu flyback równolegle do każdego tranzystora IGBT. Najpopularniejsze schematy połączeń modułów IGBT przedstawiono na rys. 7.6. Główne różnice między poszczególnymi elementami i modułami Główna różnica między urządzeniami dyskretnymi a modułami wysokoprądowymi polega na sposobie, w jaki są one połączone elektrycznie z innymi elementami obwodu. Elementy dyskretne są połączone z elementami obwodu na płytce drukowanej za pomocą lutowania. Maksymalna wartość prądów w połączeniach stykowych płytki drukowanej zwykle nie przekracza 100 A w stanie ustalonym. Nakłada to naturalne ograniczenia na liczbę elementów połączonych równolegle. Z kolei moduły wysokoprądowe posiadają zaciski śrubowe. Dzięki temu można je podłączać do końcówek kablowych lub bezpośrednio do szyn zbiorczych. Moduły wysokoprądowe można również podłączyć bezpośrednio do płytki drukowanej poprzez otwory przelotowe. Moduły dostępne są w trzech wersjach:
Tranzystory są bocznikowane przez diody typu flyback, które są diodami Super Fast Recovery Soft Recovery Diode (FRD). Autor: Koryakin-Chernyak S.L. Zobacz inne artykuły Sekcja Podręcznik elektryka. Czytaj i pisz przydatne komentarze do tego artykułu. Najnowsze wiadomości o nauce i technologii, nowa elektronika: Sztuczna skóra do emulacji dotyku
15.04.2024 Żwirek dla kota Petgugu Global
15.04.2024 Atrakcyjność troskliwych mężczyzn
14.04.2024
Inne ciekawe wiadomości: ▪ Nowa generacja mikrokontrolerów 8-bitowych ▪ 84-calowy wyświetlacz NEC MultiSync X841UHD o rozdzielczości 3840x2160 ▪ Aparat bezlusterkowy Fujifilm X-T2 Wiadomości o nauce i technologii, nowa elektronika
Ciekawe materiały z bezpłatnej biblioteki technicznej: ▪ sekcja serwisu Ograniczniki sygnału, kompresory. Wybór artykułu ▪ artykuł Bezpieczeństwo i higiena przemysłowa. Informator ▪ artykuł Co powoduje ślepotę? Szczegółowa odpowiedź ▪ Artykuł Nasturcja jest duża. Legendy, uprawa, metody aplikacji ▪ artykuł Bocian zamiast krokodyla. Encyklopedia elektroniki radiowej i elektrotechniki ▪ artykuł Prostownica do łyżek. Doświadczenie chemiczne
Zostaw swój komentarz do tego artykułu: Komentarze do artykułu: Aleksander Michajłowicz Grigoriew Chcę przekonwertować hybrydowy układ półrurowy na tranzystory. Wszystkie języki tej strony Strona główna | biblioteka | Artykuły | Mapa stony | Recenzje witryn www.diagram.com.ua |